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des matériaux de semi-conducteur composé : Tendances
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Type De Produit: Étude de Marché
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Date de Publication: Apr 06, 2005
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Table des matières
- INTRODUCTION
- BUTS ET OBJECTIFS D'ÉTUDE
- RAISONS DE FAIRE L'ÉTUDE
- PORTÉE ET FORMAT
- MÉTHODOLOGIE ET ÉMETTEURS D'INFORMATIONS
- ASSISTANCES DESTINÉES DE CECI RAPPORT
- LES QUALIFICATIONS DE L'AUTEUR
- PUBLICATIONS RELATIVES DE BCC
- BULLETINS MENSUELS
- SERVICES EN LIGNE DE BCC
- DÉMENTI
- DOCUMENT DE SYNTHÈSE
- Tableau synoptique : SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ MONDIAL REVENU PAR CATÉGORIE PRINCIPALE DE PRODUIT, PAR 2009 (MILLIONS DE $)
- Schéma sommaire : SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ MONDIAL REVENU PAR CATÉGORIE PRINCIPALE DE PRODUIT, 2001-2009 (MILLIONS DE $)
- FORCES DE MARCHÉ PRINCIPAL
- MATÉRIAUX
- COMPOSANTS
- SOUS-ENSEMBLES
- APERÇU : TECHNOLOGIE ET ÉTAT MATÉRIELS DE L'INDUSTRIE
- APERÇU DES SEMI-CONDUCTEURS
- PROPRIÉTÉS DE GÉNÉRAL DES SEMI-CONDUCTEURS COMPOSÉS
- Table 1 les PROPRIÉTÉS PHYSIQUES des MATÉRIAUX PRINCIPAUX de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ (COMPARÉS au SILICIUM)
- Paramètre de trellis
- Ingénierie de Bandgap
- Hétérostructure et hétérojonctions
- TYPES DE MATÉRIAUX DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
- Groupe III-V : Nitrures, Antimonides, phosphures et arséniures
- Arséniure de gallium
- Phosphure d'indium
- Nitrure de gallium
- Groupe II-VI : Oxydes, sulfures, Selenides et tellurures
- Séléniure de zinc
- Tellurure de cadmium
- Tellurure de zinc de cadmium
- Tellurure de cadmium de mercure
- Groupe IV : Composés et alliages Silicium-Basés
- Germanium de silicium
- Carbure de silicium
- Table 2 des RÉSUMÉS des SEMI-CONDUCTEURS COMPOSÉS
- MATÉRIAUX DE SUBSTRAT
- Arséniure de gallium
- Phosphure d'indium
- Silicium
- Carbure de silicium
- Germanium
- Saphir
- Nitrure en aluminium
- Disque debout libre de nitrure de gallium
- Table 3 le RÉSUMÉ des SUBSTRATS PROCURABLES POUR la FABRICATION de DISPOSITIF de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, 2003
- TECHNOLOGIES DE FABRICATION
- Production de cristal simple
- Méthode de Czochralski (CZ)
- Méthode de la Flotter-Zone (FZ)
- Méthode Liquide-Encapsulée de Czochralski (LEC)
- Méthode du gel de gradient de Marché vertical (VGF)
- Fabrication de disque
- Technologies de dépôt
- Déposition en phase vapeur organique en métal (MOCVD)
- Épitaxie de faisceau moléculaire (MBE)
- D'autres méthodes de dépôt
- Dépôt physique de vapeur (PVD)
- Épitaxie liquide de phase (LPE)
- Épitaxie de phase de vapeur d'hydrure (HVPE)
- Fabrication de dispositif
- Traitement d'entrée
- Traitement principal
- MARCHÉ DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
- Dispositifs de RF/Microwave
- Dispositifs optoélectroniques
- VCSELs
- Longue longueur d'onde (1.310 nanomètre et 1.550 nanomètre) lasers de DFB et de point de gel
- Détecteurs photoélectriques (BROCHE et APD)
- Diodes électroluminescentes (DEL)
- Piles solaires
- Capteurs et détecteurs
- Capteurs et détecteurs infrarouges
- X et détecteurs gamma de rayon
- Capteurs de champ magnétique
- Dispositifs à effet Hall
- Magnétorésistance (M.)
- Table 4 des GRILLES d'APPLICATION des SEMI-CONDUCTEURS COMPOSÉS
- MARCHÉ MONDIAL POUR DES MATÉRIAUX DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
- DÉFINITION
- RÉSUMÉ ET PRÉVISION DU MARCHÉ DE MATÉRIAU DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
- REVENU PAR CATEGORY : CRISTAL ET DISQUE CONTRE LE DISQUE ET LES FONDERIES D'EPI
- Table 5 le MARCHÉ GLOBAL POUR des MATÉRIAUX de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ PAR des SERVICES de FONDERIE de CATEGORY INCLUDING, PAR 2009 (MILLIONS de $)
- MARCHÉ GLOBAL du Schéma 1 POUR des MATÉRIAUX de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ PAR des SERVICES de FONDERIE de CATEGORY INCLUDING, PAR 2009 (MILLIONS de $)
- Table 6 des POURCENTAGES des PRODUITS de CRISTAL ET de DISQUE de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ CONTRE EFIWAFER ET SERVICES de FONDERIE, 2001-2009
- Table 7 les PARTS DE MARCHÉ ESTIMÉS des CONSTRUCTEURS de DISQUE de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, 2003 (%)
- Table 7 (SUITE)
- Table 8 les PARTS DE MARCHÉ ESTIMÉS des FONDERIES de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, 2003 (%)
- Table 9 le MARCHÉ GLOBAL POUR les PRODUITS MATÉRIELS de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET les SERVICES PAR MATERIAL TYPE, THROUGH 2009 (MILLIONS de $)
- MARCHÉ GLOBAL du Schéma 2 POUR les PRODUITS MATÉRIELS de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET SERVICES PAR MATERIAL TYPE, 2001-2009 (MILLIONS de $)
- Table 10 le PART DE MARCHÉ des PRODUITS de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET de SEVICES PAR MATERIAL, 2001-2009 (%)
- Table 11 des PARAMÈTRES PHYSIQUES de BASIC D'ARSÉNIURE de GALLIUM (à 300K)
- Table 12 des PRODUCTEURS de CRISTAL ET de DISQUE d'ARSÉNIURE de GALLIUM
- Table 12 (SUITE)
- Table 13 les PRODUCTEURS PRINCIPAUX de l'ARSÉNIURE de GALLIUM EPIWAFER (FONDERIES)
- Prévision des marchés de matériau d'arséniure de gallium
- Table 14 le MARCHÉ GLOBAL POUR l'ARSÉNIURE de GALLIUM PAR CATEORY, PAR 2009 (MILLIONS de $)
- Table 15 des PARAMÈTRES PHYSIQUES de BASIC DE PHOSPHURE d'INDIUM (à 300K)
- Table 16 des PRODUCTEURS de CRISTAL ET de DISQUE de PHOSPHURE d'INDIUM
- Table 17 les PRODUCTEURS PRINCIPAUX du PHOSPHURE d'INDIUM EPIWAFER (FONDERIES)
- Prévision des marchés de matériau de phosphure d'indium
- Table 18 le MARCHÉ GLOBAL POUR le PHOSPHURE d'INDIUM, PAR 2009 (MILLIONS de $)
- Table 19 des PARAMÈTRES PHYSIQUES de BASIC DE NITRURE de GALLIUM (à 300K)
- Circuits optiques
- Dispositifs électriques
- Table 20 le GALLIUM la NITRURE A BASÉ des DISPOSITIFS
- Table 21 la LISTE PARTIELLE d'ENTREPRISES AVEC des PRODUITS de NITRURE de GALLIUM
- Prévision de marché de matériau de nitrure de gallium
- Table 22 le MARCHÉ GLOBAL POUR le MARCHÉ de BIENS MATÉRIEL de NITRURE de GALLIUM, PAR 2009 (MILLIONS de $)
- Table 23 des PARAMÈTRES PHYSIQUES de BASIC DES ALLIAGES de SILICIUM, de GERMANIUM ET de GERMANIUM de SILICIUM (à 300K)
- Table 24 les FONDERIES PRINCIPALES du GERMANIUM BICMOS de SILICIUM
- Prévision de marché relatif de service de germanium de silicium
- Table 25 le MARCHÉ GLOBAL POUR le GERMANIUM de SILICIUM la FONDERIE A ASSOCIÉ des SERVICES, PAR 2009 (les MILLIONS de $)
- Table 26 des PARAMÈTRES PHYSIQUES de BASIC DE CARBURE de SILICIUM (à 300K)
- Le CARBURE de SILICIUM du tableau 27 A BASÉ des DISPOSITIFS (POTENTIEL OU EXISTER)
- Tableau 27 (SUITE)
- CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX du tableau 28 des SUBSTRATS de CARBURE de SILICIUM
- Prévision des marchés de matériau de carbure de silicium
- MARCHÉ GLOBAL du tableau 29 POUR le CARBURE de SILICIUM REVENU MATÉRIEL, PAR 2009 (MILLIONS de $)
- D'autres matériaux
- Résumé et perspectives
- Prévision d'autres semi-conducteur composé et matériaux relatifs
- MARCHÉ GLOBAL du tableau 30 POUR d'AUTRES SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET MATÉRIAUX RELATIFS, PAR 2009 (MILLIONS de $)
- LE MARCHÉ MONDIAL POUR LE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ A BASÉ DES COMPOSANTS
- DÉFINITION
- RÉSUMÉ ET PRÉVISION DE MARCHÉ DE COMPOSANT DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
- Le MARCHÉ GLOBAL du tableau 31 POUR le SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ A BASÉ des COMPOSANTS ET des DISPOSITIFS, PAR 2009 (les MILLIONS de $)
- Les POURCENTAGES du tableau 32 du SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ONT BASÉ des COMPOSANTS PAR SUBCATEGORY, 2001-2009 (%)
- COMPOSANTS DE RF ET DE MICRO-ONDE
- LONGUEUR D'ONDE de BANDE ET de CORRESPONDANT de RADIOFRÉQUENCE du tableau 33
- PROTOCOLES NUMÉRIQUES de RÉSEAU TÉLÉPHONIQUE de GSM du tableau 34
- Réseau local sans fil (WLAN) et Bluetooth
- NORMES SANS FIL de GESTION DE RÉSEAU du tableau 35
- Blocs fondamentaux de construction de systèmes de rf communication
- Technologies de la transformation
- Circuits intégrés monolithiques à micro-ondes (MMIC)
- Transistors d'effet de champ
- JFET
- Transistor MOSFET
- MESFET
- HEMT et pHEMT
- Transistors de jonction bipolaire
- Transistor bipolaire d'hétérojonction (HBT)
- CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX du tableau 36 des COMPOSANTS du SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ rf
- Tableau 36 (SUITE)
- Tableau 36 (SUITE)
- PARTS DE MARCHÉ du tableau 37 des CONSTRUCTEURS CONSTITUTIFS COMPOSÉS PRINCIPAUX du SEMI-CONDUCTEUR rf, 2003
- COMPOSANTS OPTOÉLECTRONIQUES
- Aperçu des applications
- Réseau optique de Communications
- NIVEAUX OPTIQUES d'EXPLOITANT DE RÉSEAU du tableau 38
- Communications sans fil et libres optiques de systeme optique de l'espace
- Mémoire optique de la deuxième génération de l'information
- COMPARAISONS du tableau 39 de DISQUE de CD-ROM, de DVD ET de BLU-RAY
- Éclairage semi-conducteur
- Diodes de laser
- Bord-Émettre des diodes de laser
- Laser de Fabry-Perot (point de gel)
- Laser distribué du feedback (DFB)
- Laser émettant extérieur de cavité de Marché vertical (VCSEL)
- Diodes de Superluminescent (SLDs)
- Photodiodes
- BROCHE photodiodes
- Photodiodes d'avalanche (APD)
- Circuits optiques intégrés (IOC) et circuits intégrés de Photonic (PIC)
- CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX du tableau 40 des COMPOSANTS OPTOÉLECTRONIQUES
- Tableau 40 (SUITE)
- Tableau 40 (SUITE)
- Diodes électroluminescentes (DEL)
- Premières générations des DEL
- La LONGUEUR D'ONDE du tableau 41 ET la COULEUR de l'intervalle ONT BASÉ des DEL
- Intense luminosité DEL
- (Vert, bleu et violet) DEL à ondes courtes
- MATÉRIAUX, LONGUEURS D'ONDE ET COULEURS TYPES du tableau 42 des DEL
- Tableau 42 (SUITE)
- DEL blanches
- Le gallium Nitrure-A basé la DEL blanche
- Le zinc Séléniure-A basé la DEL blanche
- Diodes émetteuses d'infrarouge (IREDs)
- DIODES ÉMETTEUSES D'INFRAROUGE PROCHES du tableau 43
- DEL (UV) ultra-violettes
- Support de fil de sortie contre le support extérieur (SMD) DEL
- Applications des DEL et des états actuels du marché
- Applications des DEL et du
(suite)
- CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX du tableau 44 des COMPOSANTS de DEL POUR l'ÉCLAIRAGE ET l'ILLUMINATION (EN PLUS de CEUX COMPRIS DANS le TABLEAU 39)
- Tableau 44 (SUITE)
- PARTS DE MARCHÉ ESTIMÉS du tableau 45 des CONSTRUCTEURS CONSTITUTIFS OPTOÉLECTRONIQUES PRINCIPAUX de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, 2003
- COMPOSANTS DE CAPTEUR ET DE DÉTECTEUR
- Capteurs infrarouges et alignements thermiques d'image
- Matériaux infrarouges de capteur
- Arséniure de gallium d'indium
- Antimonide d'indium
- Tellurure de cadmium de mercure
- Alignements IRS de détecteur
- Capteurs de champ magnétique
- Dispositifs à effet Hall
- Magnétorésistances (M.)
- Détecteurs gamma X et de rayon
- CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX du tableau 46 des COMPOSANTS COMPOSÉ de DÉTECTEUR SEMICONDUCTEUR ET de DÉTECTEUR
- PARTS DE MARCHÉ ESTIMÉS du tableau 47 des CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX des DÉTECTEURS SEMICONDUCTEURS COMPOSÉS, 2003
- MARCHÉ MONDIAL POUR DES SOUS-ENSEMBLES INTÉGRÉS DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
- DÉFINITION
- RÉSUMÉ ET PRÉVISION DE MARCHÉ DE SOUS-ENSEMBLES DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
- Le MARCHÉ GLOBAL du tableau 48 POUR le SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ A INTÉGRÉ des SOUS-ENSEMBLES PAR SUBCATEGORIES, THROUGH 2009 (les MILLIONS de $)
- Le MARCHÉ GLOBAL du Schéma 3 POUR le SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ A INTÉGRÉ des SOUS-ENSEMBLES PAR SUBCATEGORIES, 2001-2009 (les MILLIONS de $)
- Les POURCENTAGES de REVENU du tableau 49 du SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ONT INTÉGRÉ des SOUS-ENSEMBLES PAR SUBCATEGORIES, 2001-2009
- SOUS-ENSEMBLES DE RF ET DE MICRO-ONDE
- Modules d'amplificateur d'émetteur récepteur et de pouvoir pour des combinés téléphoniques de GSM et des dispositifs de Bluetooth
- Infrastructure de réseau (Point-to-Point, émetteurs récepteurs Point-à-Multipoints, éléments extérieurs)
- Amplificateurs et émetteurs récepteurs de pouvoir de WLAN
- CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX du tableau 50 du SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ rf ET des SOUS-ENSEMBLES de MICRO-ONDE
- PARTS DE MARCHÉ ESTIMÉS du tableau 51 des CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX de SOUS-ENSEMBLE de rf, 2003
- SOUS-ENSEMBLES OPTOÉLECTRONIQUES
- Émetteurs récepteurs optiques
- Émetteur récepteur que l'on peut brancher de petit Forme-Facteur (SFP)
- Convertisseur de surface adjacente de Gigabit (GBIC)
- Lasers réglables
- CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX du tableau 52 des SOUS-ENSEMBLES OPTOÉLECTRONIQUES de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
- Tableau 52 (SUITE)
- PARTS DE MARCHÉ ESTIMÉS du tableau 53 des CONSTRUCTEURS OPTOÉLECTRONIQUES PRINCIPAUX de SOUS-ENSEMBLE (À L'EXCLUSION de l'ÉCLAIRAGE SEMI-CONDUCTEUR), 2003
- Modules d'affichage à LED Et produits semi-conducteurs d'éclairage
- Affichages à LED
- Éclairage semi-conducteur
- CONSTRUCTEURS du tableau 54 des PRODUITS SEMI-CONDUCTEURS d'ÉCLAIRAGE ET d'AFFICHAGE
- Tableau 54 (SUITE)
- MODULES SOLAIRES DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
- Rendements de conversion
- Matériaux à cellules solaires
- Silicium
- Composés d'III-V
- Les couches minces polycristallines de CdS/CdTe
- CONSTRUCTEURS du tableau 55 des MODULES SOLAIRES de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
- ANALYSE DE TECHNOLOGIE DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
- APERÇU DES BREVETS ET DES DEMANDES DE BREVET, USPTO, 1996-2003
- BREVETS ASSOCIÉS de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ du tableau 56 USPTO ET APPLICATIONS PUBLIÉES PAR YEAR, 1996-2003
- BREVETS ASSOCIÉS de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ du Schéma 4 USPTO ET APPLICATIONS PUBLIÉES PAR YEAR, 1996-2003
- Le SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ du tableau 57 A ASSOCIÉ des BREVETS ÉMIS PAR MATERIAL, THROUGH 2003
- Le SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ du Schéma 5 A ASSOCIÉ des BREVETS ÉMIS PAR MATERIAL, 1996-2003
- Demandes de brevet publiées
- DEMANDES de BREVET PUBLIÉES ASSOCIÉES de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ du tableau 58 PAR MATERIAL, 1996-2003
- DEMANDES de BREVET PUBLIÉES ASSOCIÉES de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ du Schéma 6 PAR MATERIAL, 1996-2003
- ACTION de POURCENTAGE du tableau 59 des MATÉRIAUX PAR TYPE DANS les BREVETS ET EN ATTENDANT des APPLICATIONS PUBLIÉES, ET DIFFÉRENCE DANS les POURCENTAGES, 1996-2003
- POURCENTAGES du Schéma 7 des BREVETS ET PUBLIÉS EN ATTENDANT des APPLICATIONS PAR MATERIAL, 1996-2003
- ANALYSE DE BREVET PAR MATERIAL
- BREVETS du GALLIUM ARSENIDE-RELATED du tableau 60 PAR CLASSIFICATIONS, 1996-2003
- Les ENTREPRISES du tableau 61 AVEC la QUANTITÉ SIGNIFICATIVE d'ARSÉNIURE de GALLIUM ONT RAPPORTÉ des BREVETS, ATTRIBUÉS 1996-2003
- BREVETS RELATIFS de PHOSPHURE d'INDIUM du tableau 62 PAR CLASSIFICATIONS, 1996-2003
- Les ENTREPRISES du tableau 63 AVEC la QUANTITÉ SIGNIFICATIVE de PHOSPHURE d'INDIUM ONT RAPPORTÉ des BREVETS, ATTRIBUÉS 1996-2003
- Tableau 63 (SUITE)
- Nitrures de nitrure et de groupe III de gallium
- BREVETS RELATIFS de NITRURES de NITRURE ET de GROUPE III de GALLIUM du tableau 64 PAR CLASSIFICATIONS, 1996-2003
- Les ENTREPRISES du tableau 65 AVEC la QUANTITÉ SIGNIFICATIVE de NITRURES de NITRURE ET de GROUPE III de GALLUIM ONT RAPPORTÉ des BREVETS, ATTRIBUÉS 1996-2003
- BREVETS RELATIFS de CARBURE de SILICIUM du tableau 66 PAR CLASSIFICATIONS, 1996-2003
- Les ENTREPRISES du tableau 67 AVEC la QUANTITÉ SIGNIFICATIVE de CARBURE de SILICIUM ONT RAPPORTÉ des BREVETS, ATTRIBUÉS 1996-2003
- BREVETS du SILICIUM GERMANIUM-RELATED du tableau 68 PAR CLASSIFICATIONS, 1996-2003
- Les ENTREPRISES du tableau 69 AVEC la QUANTITÉ SIGNIFICATIVE de GERMANIUM de SILICIUM ONT RAPPORTÉ des BREVETS, ATTRIBUÉS 1996-2003
- ENTREPRISES PRINCIPALES du tableau 70 AVEC le PLUS GRAND NUMÉRO des BREVETS RELATIFS de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ PAR MATERIAL
- PROFILS D'ENTREPRISE
- RECHERCHE COMPOSÉE DE SEMICONDUCTOR-RELATED À DE PRINCIPAUX LABORATOIRES DE R&D D'INDUSTRIE
- RECHERCHE GLOBALE DE GE
- LABORATOIRES DE HRL
- RECHERCHE D'IBM
- SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES DE GRUMMAN DE NORTHROP
- LABORATOIRE ÉLECTRONIQUE DE MATÉRIAUX, CENTRE DE RECHERCHES DE XEROX PALO ALTO
- LABORATOIRE DE RECHERCHES DE SEMI-CONDUCTEUR, LABORATOIRES DE LUCENT BELL
- LABORATOIRES DE R&D DE SEMI-CONDUCTEUR DE FREESCALE (AUTREFOIS MOTOROLA)
- CIE. LTD DE LABORATOIRE D'ÉNERGIE DE SEMI-CONDUCTEUR.
- R&D DE DISPOSITIFS DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ DE NEC
- RECHERCHE ET DÉVELOPPEMENT DE SIEMENS AG
- SOLUTIONS DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ DOW CORNING
- PROFILS DES LABORATOIRES COMMANDITÉS PAR LE GOUVERNEMENT DE RECHERCHES ET DES ÉTATS DE PROGRAMS-UNITED
- MATÉRIAUX ET DIRECTION DE FABRICATION (ML), LABORATOIRE DE RECHERCHES DE L'ARMÉE DE L'AIR
- DEFENSE ADVANCED RESEARCH PROJECTS AGENCY (DARPA)
- NATIONAL INSTITUTE OF STANDARDS AND TECHNOLOGY
- Division de l'électronique de semi-conducteur, Gaithersburg, MD
- Division d'optoélectronique (Boulder, Co)
- OFFICE DE RECHERCHE NAVALE
- Division de l'électronique
- Programmes de placement Pour ce qui concerne les semi-conducteurs composés :
- LABORATOIRE DE RECHERCHES DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ (CSRL), LABORATOIRES DE NATIONAL DE SANDIA
- LA DIRECTION DE CAPTEURS ET DE DISPOSITIFS D'ÉLECTRON, LABORATOIRE E.U. DE RECHERCHES D'ARMÉE
- BUREAU E.U. DE RECHERCHES D'ARMÉE
- DIVISION DE RECHERCHE DE MATÉRIAUX, NATIONAL SCIENCE FOUNDATION
- PROFILS DES LABORATOIRES COMMANDITÉS PAR LE GOUVERNEMENT DE RECHERCHES ET DES PAYS DE PROGRAMS-OTHER
- CONCEVOIR ET CONSEIL " RECHERCHE " PHYSIQUE DES SCIENCES, R-U
- INSTITUT NATIONAL DE LA SCIENCE ET DE TECHNOLOGIE INDUSTRIELLES AVANÇÉES, JAPON
- Centre de recherches de l'électronique de puissance
- Centre de recherches pour Photovoltatics
- INSTITUT NATIONAL D'INFORMATION ET DE TECHNOLOGIE DE COMMUNICATION, JAPON
- INSTITUT PHYSICO-TECHNOLOGIQUE D'IOFFE, RUSSIE
- Division de l'électronique semi-conductrice
- Division de la physique du diélectrique et des semi-conducteurs
- INSTITUT DES SEMI-CONDUCTEURS, ACADÉMIE CHINOISE DES SCIENCES, CHINE
- FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH CENTRE JÜLICH), ALLEMAGNE (DE RECHERCHES
- Institut des couches minces et des surfaces adjacentes
- PROFILS DES ÉTATS CHOISIS DES RECHERCHES LABS-UNITED D'UNIVERSITÉ
- CENTRE POUR LA RECHERCHE SEMI-CONDUCTRICE DE L'ÉLECTRONIQUE (CSSER), UNIVERSITÉ DE L'ETAT DE L'ARIZONA
- SERVICE DU GÉNIE INFORMATIQUE ÉLECTRIQUE ET, UNIVERSITÉ DE BOSTON
- Laboratoire large de semi-conducteurs d'intervalle de bande (www.bu.edu/nitrides/)
- GROUPE DE STM/MBE, UNIVERSITÉ DE CARNEGIE-MELLON
- GÉNIE INFORMATIQUE ÉLECTRIQUE ET, UNIVERSITÉ DE CORNELL
- Recherche électronique et optoélectronique de matériaux
- Recherche optoélectronique, optique et de laser de dispositifs
- CENTRE DE RECHERCHES DE LA MICROÉLECTRONIQUE, INSTITUT DE LA GÉORGIE DE LA TECHNOLOGIE
- CENTRE POUR LA SCIENCE DES MATÉRIAUX ET L'INGÉNIERIE, MASSACHUSETTS.INSTITUTE.OF.TECHNOLOGY
- Matériaux de semi-conducteur composé et groupe de recherche de dispositif
- GÉNIE INFORMATIQUE ÉLECTRIQUE ET, UNIVERSITÉ DE L'ETAT DE L'OHIO
- L'électronique semi-conductrice et Photonics
- SERVICE DE SCIENCE DES MATÉRIAUX ET D'INGÉNIERIE, UNIVERSITÉ DE L'ETAT DE LA PENNSYLVANIE
- PROGRAMME DE RECHERCHE LARGE DE DISPOSITIF DE SEMI-CONDUCTEUR D'INTERVALLE DE BANDE, UNIVERSITÉ DE PURDUE
- SERVICE DE L'ÉLECTROTECHNIQUE, UNIVERSITÉ DE STANFORD
- SCIENCE DES MATÉRIAUX ET INGÉNIERIE, UNIVERSITÉ DE CALIFORNIA-BERKELEY
- FIBRES OPTIQUES ET LABORATOIRE DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, UNIVERSITÉ DE CALIFORNIA-IRVINE
- UNIVERSITÉ DE CALIFORNIA-SANTA BARBARA
- Centre de technologie d'optoélectronique (OTC)
- Centre interdisciplinaire pour les semi-conducteurs larges de Bandgap et le centre semi-conducteur d'éclairage et d'affichage
- GROUPE D'OPTOÉLECTRONIQUE, UNIVERSITÉ DES CORNIÈRES DE CALIFORNIA-LOS
- LABORATOIRE MICRO ET DE NANOTECHNOLOGY, UNIVERSITÉ DE L'ILLINOIS À URBANA-CHAMPAIGN
- LE CENTRE POUR LES DISPOSITIFS OPTOÉLECTRONIQUES, INTERCONNECTE, ET EMPAQUETANT - UNIVERSITÉ DU MARYLAND
- SERVICE ÉLECTRIQUE ET DE SPECTROSCOPIE DE SEMI-CONDUCTEUR DE GÉNIE INFORMATIQUE DE LABORATOIRE, UNIVERSITÉ DU MASSACHUSETTS À AMHERST
- LABORATOIRE SEMI-CONDUCTEUR DE L'ÉLECTRONIQUE, UNIVERSITÉ DU MICHIGAN
- Groupe de dispositifs intégré par III-V et de circuits
- PHOTONICS ET LABORATOIRE DE LA MICROÉLECTRONIQUE, UNIVERSITÉ DE LA CAROLINE DU SUD
- UNIVERSITÉ DE LA CALIFORNIE MÉRIDIONALE
- Laboratoire de semi-conducteur composé
- LE CENTRE POUR LES MATÉRIAUX ET LES STRUCTURES MICROÉLECTRONIQUES, UNIVERSITÉ DE YALE
- PROFILS DES PAYS CHOISIS DES RECHERCHES LABS-OTHER D'UNIVERSITÉ
- ÉCOLE DU GÉNIE INFORMATIQUE ÉLECTRIQUE, ÉLECTRONIQUE ET, UNIVERSITÉ DE L'AUSTRALIE OCCIDENTALE, AUSTRALIE
- Groupe de recherche de la microélectronique
- LABORATOIRE DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, UNIVERSITÉ DE FRASER DE SIMON, CANADA
- INGÉNIERIE ÉLECTRIQUE ET ÉLECTRONIQUE, UNIVERSITÉ DE HONG KONG DE LA SCIENCE ET TECHNOLOGIE, CHINE
- GROUPE DE RECHERCHE SUR DES MATÉRIAUX DE GAN-RELATED ET DES DISPOSITIFS, UNIVERSITÉ DE PÉKIN, CHINE
- INSTITUT DE LA PHYSIQUE SOLIDE, UNIVERSITÉ TECHNIQUE DE BERLIN, ALLEMAGNE
- INSTITUT DE WALTER SCHOTTKY, UNIVERSITÉ TECHNIQUE DE MUNICH, ALLEMAGNE
- INSTITUT DE NAGOYA DE TECHNOLOGIE, CENTRE DE RECHERCHES POUR NANO-DEVICE ET SYSTÈME, UNIVERSITÉ DE NAGOYA, JAPON
- L'INSTITUT DE LA RECHERCHE INDUSTRIELLE SCIENTIFIQUE ET, UNIVERSITÉ D'OSAKA, JAPON
- LABORATOIRE POUR NANOELECTRONICS ET SPINTRONICS, INSTITUT DE RECHERCHE DE COMMUNICATION ÉLECTRIQUE, UNIVERSITÉ DE TOHOKO, JAPON
- LABORATOIRE DE PROCÉDÉ DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, UNIVERSITÉ DE POHANG DE LA SCIENCE ET TECHNOLOGIE, CORÉE
- ÉCOLE DE L'INGÉNIERIE ÉLECTRIQUE ET ÉLECTRONIQUE, UNIVERSITÉ TECHNIQUE DE NANYANG, SINGAPOUR
- INSTITUT DE QUANTUM ÉLECTRONIQUE ET DE PHOTONICS (INSTITUT DE PHOTONIQUE ET D'ÉLECTRONIQUE QUANTIQUES), INSTITUT DE TECHNOLOGIE FÉDÉRAL SUISSE LAUSANNE (EPFL), SUISSE
- INITIATIVE DE TECHNOLOGIES DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, GLASGOW ET UNIVERSITÉS DE STRATHCLYDE, R-U
- UNIVERSITÉ DE CAMBRIDGE, R-U
- Recherche de Sige, laboratoire de Cavendish
- MATÉRIAUX ET DISPOSITIFS OPTOÉLECTRONIQUES LABORATOIRE, UNIVERSITÉ D'ESSEX, R-U
- CENTRE DE RECHERCHES DE L'ESPACE, UNIVERSITÉ DE LEICESTER, R-U
- GROUPE DE PHYSIQUE DE SEMI-CONDUCTEUR, UNIVERSITÉ DE SHEFFIELD, R-U
- LA MICROÉLECTRONIQUE GROUPE, UNIVERSITÉ DE SOUTHAMPTON, R-U
- GROUPE DE DISPOSITIFS ET DE MATÉRIAUX D'OPTOÉLECTRONIQUE, SERVICE DE LA SCIENCE PHYSIQUE, UNIVERSITÉ DE SURREY, R-U
- LISTE DE TABLEAUX
- Tableau synoptique :
- Table 1 les PROPRIÉTÉS PHYSIQUES des MATÉRIAUX PRINCIPAUX de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ (COMPARÉS au SILICIUM)
- Table 2 des RÉSUMÉS des SEMI-CONDUCTEURS COMPOSÉS
- Table 3 le RÉSUMÉ des SUBSTRATS PROCURABLES POUR la FABRICATION de DISPOSITIF de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, 2003
- Table 4 des GRILLES d'APPLICATION des SEMI-CONDUCTEURS COMPOSÉS
- Table 5 le MARCHÉ GLOBAL POUR des MATÉRIAUX de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ PAR des SERVICES de FONDERIE de CATEGORY INCLUDING, PAR 2009 (MILLIONS de $)
- Table 6 des POURCENTAGES des PRODUITS de CRISTAL ET de DISQUE de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ CONTRE EFIWAFER ET SERVICES de FONDERIE, 2001-2009
- Table 7 les PARTS DE MARCHÉ ESTIMÉS des CONSTRUCTEURS de DISQUE de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, 2003 (%)
- Table 8 les PARTS DE MARCHÉ ESTIMÉS des FONDERIES de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, 2003 (%)
- Table 9 le MARCHÉ GLOBAL POUR les PRODUITS MATÉRIELS de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET les SERVICES PAR MATERIAL TYPE, THROUGH 2009 (MILLIONS de $)
- Table 10 le PART DE MARCHÉ des PRODUITS de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET de SEVICES PAR MATERIAL, 2001-2009 (%)
- Table 11 des PARAMÈTRES PHYSIQUES de BASIC D'ARSÉNIURE de GALLIUM (à 300K)
- Table 12 des PRODUCTEURS de CRISTAL ET de DISQUE d'ARSÉNIURE de GALLIUM
- Table 13 les PRODUCTEURS PRINCIPAUX de l'ARSÉNIURE de GALLIUM EPIWAFER (FONDERIES)
- Table 14 le MARCHÉ GLOBAL POUR l'ARSÉNIURE de GALLIUM PAR CATEORY, PAR 2009 (MILLIONS de $)
- Table 15 des PARAMÈTRES PHYSIQUES de BASIC DE PHOSPHURE d'INDIUM (à 300K)
- Table 16 des PRODUCTEURS de CRISTAL ET de DISQUE de PHOSPHURE d'INDIUM
- Table 17 les PRODUCTEURS PRINCIPAUX du PHOSPHURE d'INDIUM EPIWAFER (FONDERIES)
- Table 18 le MARCHÉ GLOBAL POUR le PHOSPHURE d'INDIUM, PAR 2009 (MILLIONS de $)
- Table 19 des PARAMÈTRES PHYSIQUES de BASIC DE NITRURE de GALLIUM (à 300K)
- Table 20 le GALLIUM la NITRURE A BASÉ des DISPOSITIFS
- Table 21 la LISTE PARTIELLE d'ENTREPRISES AVEC des PRODUITS de NITRURE de GALLIUM
- Table 22 le MARCHÉ GLOBAL POUR le MARCHÉ de BIENS MATÉRIEL de NITRURE de GALLIUM, PAR 2009 (MILLIONS de $)
- Table 23 des PARAMÈTRES PHYSIQUES de BASIC DES ALLIAGES de SILICIUM, de GERMANIUM ET de GERMANIUM de SILICIUM (à 300K)
- Table 24 les FONDERIES PRINCIPALES du GERMANIUM BICMOS de SILICIUM
- Table 25 le MARCHÉ GLOBAL POUR le GERMANIUM de SILICIUM la FONDERIE A ASSOCIÉ des SERVICES, PAR 2009 (les MILLIONS de $)
- Table 26 des PARAMÈTRES PHYSIQUES de BASIC DE CARBURE de SILICIUM (à 300K)
- Le CARBURE de SILICIUM du tableau 27 A BASÉ des DISPOSITIFS (POTENTIEL OU EXISTER)
- CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX du tableau 28 des SUBSTRATS de CARBURE de SILICIUM
- MARCHÉ GLOBAL du tableau 29 POUR le CARBURE de SILICIUM REVENU MATÉRIEL, PAR 2009 (MILLIONS de $)
- MARCHÉ GLOBAL du tableau 30 POUR d'AUTRES SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET MATÉRIAUX RELATIFS, PAR 2009 (MILLIONS de $)
- Le MARCHÉ GLOBAL du tableau 31 POUR le SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ A BASÉ des COMPOSANTS ET des DISPOSITIFS, PAR 2009 (les MILLIONS de $)
- Les POURCENTAGES du tableau 32 du SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ONT BASÉ des COMPOSANTS PAR SUBCATEGORY, 2001-2009 (%)
- LONGUEUR D'ONDE de BANDE ET de CORRESPONDANT de RADIOFRÉQUENCE du tableau 33
- PROTOCOLES NUMÉRIQUES de RÉSEAU TÉLÉPHONIQUE de GSM du tableau 34
- NORMES SANS FIL de GESTION DE RÉSEAU du tableau 35
- CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX du tableau 36 des COMPOSANTS du SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ rf
- PARTS DE MARCHÉ du tableau 37 des CONSTRUCTEURS CONSTITUTIFS COMPOSÉS PRINCIPAUX du SEMI-CONDUCTEUR rf, 2003
- NIVEAUX OPTIQUES d'EXPLOITANT DE RÉSEAU du tableau 38
- COMPARAISONS du tableau 39 de DISQUE de CD-ROM, de DVD ET de BLU-RAY
- CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX du tableau 40 des COMPOSANTS OPTOÉLECTRONIQUES
- La LONGUEUR D'ONDE du tableau 41 ET la COULEUR de l'intervalle ONT BASÉ des DEL
- MATÉRIAUX, LONGUEURS D'ONDE ET COULEURS TYPES du tableau 42 des DEL
- DIODES ÉMETTEUSES D'INFRAROUGE PROCHES du tableau 43
- CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX du tableau 44 des COMPOSANTS de DEL POUR l'ÉCLAIRAGE ET l'ILLUMINATION (EN PLUS de CEUX COMPRIS DANS le TABLEAU 39)
- PARTS DE MARCHÉ ESTIMÉS du tableau 45 des CONSTRUCTEURS CONSTITUTIFS OPTOÉLECTRONIQUES PRINCIPAUX de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, 2003
- CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX du tableau 46 des COMPOSANTS COMPOSÉ de DÉTECTEUR SEMICONDUCTEUR ET de DÉTECTEUR
- PARTS DE MARCHÉ ESTIMÉS du tableau 47 des CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX des DÉTECTEURS SEMICONDUCTEURS COMPOSÉS, 2003
- Le MARCHÉ GLOBAL du tableau 48 POUR le SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ A INTÉGRÉ des SOUS-ENSEMBLES PAR SUBCATEGORIES, THROUGH 2009 (les MILLIONS de $)
- Les POURCENTAGES de REVENU du tableau 49 du SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ONT INTÉGRÉ des SOUS-ENSEMBLES PAR SUBCATEGORIES, 2001-2009
- CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX du tableau 50 du SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ rf ET des SOUS-ENSEMBLES de MICRO-ONDE
- PARTS DE MARCHÉ ESTIMÉS du tableau 51 des CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX de SOUS-ENSEMBLE de rf, 2003
- CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX du tableau 52 des SOUS-ENSEMBLES OPTOÉLECTRONIQUES de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
- PARTS DE MARCHÉ ESTIMÉS du tableau 53 des CONSTRUCTEURS OPTOÉLECTRONIQUES PRINCIPAUX de SOUS-ENSEMBLE (À L'EXCLUSION de l'ÉCLAIRAGE SEMI-CONDUCTEUR), 2003
- CONSTRUCTEURS du tableau 54 des PRODUITS SEMI-CONDUCTEURS d'ÉCLAIRAGE ET d'AFFICHAGE
- CONSTRUCTEURS du tableau 55 des MODULES SOLAIRES de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
- BREVETS ASSOCIÉS de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ du tableau 56 USPTO ET APPLICATIONS PUBLIÉES PAR YEAR, 1996-2003
- Le SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ du tableau 57 A ASSOCIÉ des BREVETS ÉMIS PAR MATERIAL, THROUGH 2003
- Le SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ du tableau 58 ASSOCIÉ A PUBLIÉ des DEMANDES de BREVET PAR MATERIAL, 1996-2003
- ACTION de POURCENTAGE du tableau 59 des MATÉRIAUX PAR TYPE DANS les BREVETS ET EN ATTENDANT des APPLICATIONS PUBLIÉES, ET DIFFÉRENCE DANS les POURCENTAGES, 1996-2003
- BREVETS du GALLIUM ARSENIDE-RELATED du tableau 60 PAR CLASSIFICATIONS, 1996-2003
- Les ENTREPRISES du tableau 61 AVEC la QUANTITÉ SIGNIFICATIVE d'ARSÉNIURE de GALLIUM ONT RAPPORTÉ des BREVETS, ATTRIBUÉS 1996-2003
- BREVETS RELATIFS de PHOSPHURE d'INDIUM du tableau 62 PAR CLASSIFICATIONS, 1996-2003
- Les ENTREPRISES du tableau 63 AVEC la QUANTITÉ SIGNIFICATIVE de PHOSPHURE d'INDIUM ONT RAPPORTÉ des BREVETS, ATTRIBUÉS 1996-2003
- BREVETS RELATIFS de NITRURES de NITRURE ET de GROUPE III de GALLIUM du tableau 64 PAR CLASSIFICATIONS, 1996-2003
- Les ENTREPRISES du tableau 65 AVEC la QUANTITÉ SIGNIFICATIVE de NITRURES de NITRURE ET de GROUPE III de GALLUIM ONT RAPPORTÉ des BREVETS, ATTRIBUÉS 1996-2003
- BREVETS RELATIFS de CARBURE de SILICIUM du tableau 66 PAR CLASSIFICATIONS, 1996-2003
- Les ENTREPRISES du tableau 67 AVEC la QUANTITÉ SIGNIFICATIVE de CARBURE de SILICIUM ONT RAPPORTÉ des BREVETS, ATTRIBUÉS 1996-2003
- BREVETS du SILICIUM GERMANIUM-RELATED du tableau 68 PAR CLASSIFICATIONS, 1996-2003
- Les ENTREPRISES du tableau 69 AVEC la QUANTITÉ SIGNIFICATIVE de GERMANIUM de SILICIUM ONT RAPPORTÉ des BREVETS, ATTRIBUÉS 1996-2003
- ENTREPRISES PRINCIPALES du tableau 70 AVEC le PLUS GRAND NUMÉRO des BREVETS RELATIFS de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ PAR MATERIAL
- LISTE DE SCHÉMAS
- Schéma sommaire :
- MARCHÉ GLOBAL du Schéma 1 POUR des MATÉRIAUX de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ PAR des SERVICES de FONDERIE de CATEGORY INCLUDING, PAR 2009 (MILLIONS de $)
- MARCHÉ GLOBAL du Schéma 2 POUR les PRODUITS MATÉRIELS de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET SERVICES PAR MATERIAL TYPE, 2001-2009 (MILLIONS de $)
- MARCHÉ GLOBAL du Schéma 3 POUR des SOUS-ENSEMBLES INTÉGRÉS de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ PAR SUBCATEGORIES, 2001-2009 (MILLIONS de $)
- BREVETS ASSOCIÉS de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ du Schéma 4 USPTO ET APPLICATIONS PUBLIÉES PAR YEAR, 1996-2003
- Le SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ du Schéma 5 A ASSOCIÉ des BREVETS ÉMIS PAR MATERIAL, 1996-2003
- Le SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ du Schéma 6 ASSOCIÉ A PUBLIÉ des DEMANDES de BREVET PAR MATERIAL, 1996-2003
- POURCENTAGES du Schéma 7 des BREVETS ET PUBLIÉS EN ATTENDANT des APPLICATIONS PAR MATERIAL, 1996-2003
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des matériaux de semi-conducteur composé : Tendances
Éditeur: Business Communications Co., Inc.
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