études-Marché
Accueil Sur Nous FAQ Conditions générales Contactez-nous Plan du Site
Tous ces produits sont disponibles en anglais seulement.

English Page

des matériaux de semi-conducteur composé : Tendances

Type De Produit: Étude de Marché Date de Publication: Apr 06, 2005
 
Telechargez quelques pages témoins de «The Infoshop», un autre service de Global Information.

Table des matières

  • INTRODUCTION
      • BUTS ET OBJECTIFS D'ÉTUDE
      • RAISONS DE FAIRE L'ÉTUDE
      • PORTÉE ET FORMAT
      • MÉTHODOLOGIE ET ÉMETTEURS D'INFORMATIONS
      • ASSISTANCES DESTINÉES DE CECI RAPPORT
      • LES QUALIFICATIONS DE L'AUTEUR
      • PUBLICATIONS RELATIVES DE BCC
        • ÉTATS
        • REVUES
      • BULLETINS MENSUELS
      • SERVICES EN LIGNE DE BCC
      • DÉMENTI
  • DOCUMENT DE SYNTHÈSE
    • Tableau synoptique : SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ MONDIAL REVENU PAR CATÉGORIE PRINCIPALE DE PRODUIT, PAR 2009 (MILLIONS DE $)
    • Schéma sommaire : SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ MONDIAL REVENU PAR CATÉGORIE PRINCIPALE DE PRODUIT, 2001-2009 (MILLIONS DE $)
      • FORCES DE MARCHÉ PRINCIPAL
        • MATÉRIAUX
        • COMPOSANTS
        • SOUS-ENSEMBLES
  • APERÇU : TECHNOLOGIE ET ÉTAT MATÉRIELS DE L'INDUSTRIE
      • APERÇU DES SEMI-CONDUCTEURS
        • PROPRIÉTÉS DE GÉNÉRAL DES SEMI-CONDUCTEURS COMPOSÉS
    • Table 1 les PROPRIÉTÉS PHYSIQUES des MATÉRIAUX PRINCIPAUX de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ (COMPARÉS au SILICIUM)
          • Paramètre de trellis
          • Ingénierie de Bandgap
          • Hétérostructure et hétérojonctions
        • TYPES DE MATÉRIAUX DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
          • Groupe III-V : Nitrures, Antimonides, phosphures et arséniures
            • Arséniure de gallium
            • Phosphure d'indium
            • Nitrure de gallium
          • Groupe II-VI : Oxydes, sulfures, Selenides et tellurures
            • Séléniure de zinc
            • Tellurure de cadmium
            • Tellurure de zinc de cadmium
            • Tellurure de cadmium de mercure
          • Groupe IV : Composés et alliages Silicium-Basés
            • Germanium de silicium
            • Carbure de silicium
    • Table 2 des RÉSUMÉS des SEMI-CONDUCTEURS COMPOSÉS
        • MATÉRIAUX DE SUBSTRAT
          • Arséniure de gallium
          • Phosphure d'indium
          • Silicium
          • Carbure de silicium
          • Germanium
          • Saphir
          • Nitrure en aluminium
          • Disque debout libre de nitrure de gallium
    • Table 3 le RÉSUMÉ des SUBSTRATS PROCURABLES POUR la FABRICATION de DISPOSITIF de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, 2003
        • TECHNOLOGIES DE FABRICATION
          • Production de cristal simple
            • Méthode de Czochralski (CZ)
            • Méthode de la Flotter-Zone (FZ)
            • Méthode Liquide-Encapsulée de Czochralski (LEC)
            • Méthode du gel de gradient de Marché vertical (VGF)
          • Fabrication de disque
          • Technologies de dépôt
            • Déposition en phase vapeur organique en métal (MOCVD)
            • Épitaxie de faisceau moléculaire (MBE)
            • D'autres méthodes de dépôt
              • Dépôt physique de vapeur (PVD)
              • Épitaxie liquide de phase (LPE)
              • Épitaxie de phase de vapeur d'hydrure (HVPE)
          • Fabrication de dispositif
            • Traitement d'entrée
            • Traitement principal
        • MARCHÉ DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
          • Dispositifs de RF/Microwave
          • Dispositifs optoélectroniques
            • VCSELs
            • Longue longueur d'onde (1.310 nanomètre et 1.550 nanomètre) lasers de DFB et de point de gel
            • Détecteurs photoélectriques (BROCHE et APD)
            • Diodes électroluminescentes (DEL)
          • Piles solaires
          • Capteurs et détecteurs
            • Capteurs et détecteurs infrarouges
            • X et détecteurs gamma de rayon
            • Capteurs de champ magnétique
              • Dispositifs à effet Hall
              • Magnétorésistance (M.)
    • Table 4 des GRILLES d'APPLICATION des SEMI-CONDUCTEURS COMPOSÉS
  • MARCHÉ MONDIAL POUR DES MATÉRIAUX DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
      • DÉFINITION
      • RÉSUMÉ ET PRÉVISION DU MARCHÉ DE MATÉRIAU DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
        • REVENU PAR CATEGORY : CRISTAL ET DISQUE CONTRE LE DISQUE ET LES FONDERIES D'EPI
    • Table 5 le MARCHÉ GLOBAL POUR des MATÉRIAUX de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ PAR des SERVICES de FONDERIE de CATEGORY INCLUDING, PAR 2009 (MILLIONS de $)
    • MARCHÉ GLOBAL du Schéma 1 POUR des MATÉRIAUX de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ PAR des SERVICES de FONDERIE de CATEGORY INCLUDING, PAR 2009 (MILLIONS de $)
    • Table 6 des POURCENTAGES des PRODUITS de CRISTAL ET de DISQUE de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ CONTRE EFIWAFER ET SERVICES de FONDERIE, 2001-2009
    • Table 7 les PARTS DE MARCHÉ ESTIMÉS des CONSTRUCTEURS de DISQUE de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, 2003 (%)
    • Table 7 (SUITE)
    • Table 8 les PARTS DE MARCHÉ ESTIMÉS des FONDERIES de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, 2003 (%)
        • REVENUS PAR MATERIAL
    • Table 9 le MARCHÉ GLOBAL POUR les PRODUITS MATÉRIELS de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET les SERVICES PAR MATERIAL TYPE, THROUGH 2009 (MILLIONS de $)
    • MARCHÉ GLOBAL du Schéma 2 POUR les PRODUITS MATÉRIELS de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET SERVICES PAR MATERIAL TYPE, 2001-2009 (MILLIONS de $)
    • Table 10 le PART DE MARCHÉ des PRODUITS de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET de SEVICES PAR MATERIAL, 2001-2009 (%)
          • Arséniure de gallium
            • Aperçu
    • Table 11 des PARAMÈTRES PHYSIQUES de BASIC D'ARSÉNIURE de GALLIUM (à 300K)
            • Produits
    • Table 12 des PRODUCTEURS de CRISTAL ET de DISQUE d'ARSÉNIURE de GALLIUM
    • Table 12 (SUITE)
    • Table 13 les PRODUCTEURS PRINCIPAUX de l'ARSÉNIURE de GALLIUM EPIWAFER (FONDERIES)
            • Prévision des marchés de matériau d'arséniure de gallium
    • Table 14 le MARCHÉ GLOBAL POUR l'ARSÉNIURE de GALLIUM PAR CATEORY, PAR 2009 (MILLIONS de $)
          • Phosphure d'indium
            • Aperçu
    • Table 15 des PARAMÈTRES PHYSIQUES de BASIC DE PHOSPHURE d'INDIUM (à 300K)
            • Produits
    • Table 16 des PRODUCTEURS de CRISTAL ET de DISQUE de PHOSPHURE d'INDIUM
    • Table 17 les PRODUCTEURS PRINCIPAUX du PHOSPHURE d'INDIUM EPIWAFER (FONDERIES)
            • Prévision des marchés de matériau de phosphure d'indium
    • Table 18 le MARCHÉ GLOBAL POUR le PHOSPHURE d'INDIUM, PAR 2009 (MILLIONS de $)
          • Nitrure de gallium
            • Aperçu
    • Table 19 des PARAMÈTRES PHYSIQUES de BASIC DE NITRURE de GALLIUM (à 300K)
              • Circuits optiques
              • Dispositifs électriques
    • Table 20 le GALLIUM la NITRURE A BASÉ des DISPOSITIFS
            • Produits
              • Produits (suite)
    • Table 21 la LISTE PARTIELLE d'ENTREPRISES AVEC des PRODUITS de NITRURE de GALLIUM
            • Prévision de marché de matériau de nitrure de gallium
    • Table 22 le MARCHÉ GLOBAL POUR le MARCHÉ de BIENS MATÉRIEL de NITRURE de GALLIUM, PAR 2009 (MILLIONS de $)
          • Germanium de silicium
            • Aperçu
    • Table 23 des PARAMÈTRES PHYSIQUES de BASIC DES ALLIAGES de SILICIUM, de GERMANIUM ET de GERMANIUM de SILICIUM (à 300K)
              • Services de fonderie
    • Table 24 les FONDERIES PRINCIPALES du GERMANIUM BICMOS de SILICIUM
            • Prévision de marché relatif de service de germanium de silicium
    • Table 25 le MARCHÉ GLOBAL POUR le GERMANIUM de SILICIUM la FONDERIE A ASSOCIÉ des SERVICES, PAR 2009 (les MILLIONS de $)
          • Carbure de silicium
            • Aperçu
    • Table 26 des PARAMÈTRES PHYSIQUES de BASIC DE CARBURE de SILICIUM (à 300K)
    • Le CARBURE de SILICIUM du tableau 27 A BASÉ des DISPOSITIFS (POTENTIEL OU EXISTER)
    • Tableau 27 (SUITE)
            • Produits
    • CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX du tableau 28 des SUBSTRATS de CARBURE de SILICIUM
            • Prévision des marchés de matériau de carbure de silicium
    • MARCHÉ GLOBAL du tableau 29 POUR le CARBURE de SILICIUM REVENU MATÉRIEL, PAR 2009 (MILLIONS de $)
          • D'autres matériaux
            • Résumé et perspectives
            • Prévision d'autres semi-conducteur composé et matériaux relatifs
    • MARCHÉ GLOBAL du tableau 30 POUR d'AUTRES SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET MATÉRIAUX RELATIFS, PAR 2009 (MILLIONS de $)
  • LE MARCHÉ MONDIAL POUR LE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ A BASÉ DES COMPOSANTS
      • DÉFINITION
      • RÉSUMÉ ET PRÉVISION DE MARCHÉ DE COMPOSANT DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
    • Le MARCHÉ GLOBAL du tableau 31 POUR le SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ A BASÉ des COMPOSANTS ET des DISPOSITIFS, PAR 2009 (les MILLIONS de $)
    • Les POURCENTAGES du tableau 32 du SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ONT BASÉ des COMPOSANTS PAR SUBCATEGORY, 2001-2009 (%)
        • COMPOSANTS DE RF ET DE MICRO-ONDE
          • Aperçu des applications
    • LONGUEUR D'ONDE de BANDE ET de CORRESPONDANT de RADIOFRÉQUENCE du tableau 33
            • Réseau de GSM
    • PROTOCOLES NUMÉRIQUES de RÉSEAU TÉLÉPHONIQUE de GSM du tableau 34
            • Réseau local sans fil (WLAN) et Bluetooth
    • NORMES SANS FIL de GESTION DE RÉSEAU du tableau 35
            • Radar automobile
          • Blocs fondamentaux de construction de systèmes de rf communication
          • Technologies de la transformation
            • Circuits intégrés monolithiques à micro-ondes (MMIC)
            • Transistors d'effet de champ
              • JFET
              • Transistor MOSFET
              • MESFET
              • HEMT et pHEMT
            • Transistors de jonction bipolaire
              • Transistor bipolaire d'hétérojonction (HBT)
    • CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX du tableau 36 des COMPOSANTS du SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ rf
    • Tableau 36 (SUITE)
    • Tableau 36 (SUITE)
    • PARTS DE MARCHÉ du tableau 37 des CONSTRUCTEURS CONSTITUTIFS COMPOSÉS PRINCIPAUX du SEMI-CONDUCTEUR rf, 2003
        • COMPOSANTS OPTOÉLECTRONIQUES
          • Aperçu des applications
            • Réseau optique de Communications
    • NIVEAUX OPTIQUES d'EXPLOITANT DE RÉSEAU du tableau 38
            • Communications sans fil et libres optiques de systeme optique de l'espace
            • Mémoire optique de la deuxième génération de l'information
    • COMPARAISONS du tableau 39 de DISQUE de CD-ROM, de DVD ET de BLU-RAY
            • Éclairage semi-conducteur
          • Diodes de laser
            • Bord-Émettre des diodes de laser
              • Laser de Fabry-Perot (point de gel)
              • Laser distribué du feedback (DFB)
            • Laser émettant extérieur de cavité de Marché vertical (VCSEL)
          • Diodes de Superluminescent (SLDs)
          • Photodiodes
            • BROCHE photodiodes
            • Photodiodes d'avalanche (APD)
          • Circuits optiques intégrés (IOC) et circuits intégrés de Photonic (PIC)
    • CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX du tableau 40 des COMPOSANTS OPTOÉLECTRONIQUES
    • Tableau 40 (SUITE)
    • Tableau 40 (SUITE)
          • Diodes électroluminescentes (DEL)
            • Premières générations des DEL
    • La LONGUEUR D'ONDE du tableau 41 ET la COULEUR de l'intervalle ONT BASÉ des DEL
            • Intense luminosité DEL
            • (Vert, bleu et violet) DEL à ondes courtes
    • MATÉRIAUX, LONGUEURS D'ONDE ET COULEURS TYPES du tableau 42 des DEL
    • Tableau 42 (SUITE)
            • DEL blanches
              • Le gallium Nitrure-A basé la DEL blanche
              • Le zinc Séléniure-A basé la DEL blanche
            • Diodes émetteuses d'infrarouge (IREDs)
    • DIODES ÉMETTEUSES D'INFRAROUGE PROCHES du tableau 43
            • DEL (UV) ultra-violettes
            • Support de fil de sortie contre le support extérieur (SMD) DEL
            • Applications des DEL et des états actuels du marché
              • Applications des DEL et du … (suite)
    • CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX du tableau 44 des COMPOSANTS de DEL POUR l'ÉCLAIRAGE ET l'ILLUMINATION (EN PLUS de CEUX COMPRIS DANS le TABLEAU 39)
    • Tableau 44 (SUITE)
    • PARTS DE MARCHÉ ESTIMÉS du tableau 45 des CONSTRUCTEURS CONSTITUTIFS OPTOÉLECTRONIQUES PRINCIPAUX de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, 2003
        • COMPOSANTS DE CAPTEUR ET DE DÉTECTEUR
          • Capteurs infrarouges et alignements thermiques d'image
          • Matériaux infrarouges de capteur
            • Arséniure de gallium d'indium
            • Antimonide d'indium
            • Tellurure de cadmium de mercure
          • Alignements IRS de détecteur
          • Capteurs de champ magnétique
            • Dispositifs à effet Hall
            • Magnétorésistances (M.)
          • Détecteurs gamma X et de rayon
    • CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX du tableau 46 des COMPOSANTS COMPOSÉ de DÉTECTEUR SEMICONDUCTEUR ET de DÉTECTEUR
    • PARTS DE MARCHÉ ESTIMÉS du tableau 47 des CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX des DÉTECTEURS SEMICONDUCTEURS COMPOSÉS, 2003
  • MARCHÉ MONDIAL POUR DES SOUS-ENSEMBLES INTÉGRÉS DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
      • DÉFINITION
      • RÉSUMÉ ET PRÉVISION DE MARCHÉ DE SOUS-ENSEMBLES DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
    • Le MARCHÉ GLOBAL du tableau 48 POUR le SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ A INTÉGRÉ des SOUS-ENSEMBLES PAR SUBCATEGORIES, THROUGH 2009 (les MILLIONS de $)
    • Le MARCHÉ GLOBAL du Schéma 3 POUR le SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ A INTÉGRÉ des SOUS-ENSEMBLES PAR SUBCATEGORIES, 2001-2009 (les MILLIONS de $)
    • Les POURCENTAGES de REVENU du tableau 49 du SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ONT INTÉGRÉ des SOUS-ENSEMBLES PAR SUBCATEGORIES, 2001-2009
        • SOUS-ENSEMBLES DE RF ET DE MICRO-ONDE
          • Modules d'amplificateur d'émetteur récepteur et de pouvoir pour des combinés téléphoniques de GSM et des dispositifs de Bluetooth
          • Infrastructure de réseau (Point-to-Point, émetteurs récepteurs Point-à-Multipoints, éléments extérieurs)
          • Amplificateurs et émetteurs récepteurs de pouvoir de WLAN
    • CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX du tableau 50 du SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ rf ET des SOUS-ENSEMBLES de MICRO-ONDE
    • PARTS DE MARCHÉ ESTIMÉS du tableau 51 des CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX de SOUS-ENSEMBLE de rf, 2003
        • SOUS-ENSEMBLES OPTOÉLECTRONIQUES
          • Émetteurs récepteurs optiques
            • Émetteur récepteur que l'on peut brancher de petit Forme-Facteur (SFP)
            • Convertisseur de surface adjacente de Gigabit (GBIC)
          • Lasers réglables
    • CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX du tableau 52 des SOUS-ENSEMBLES OPTOÉLECTRONIQUES de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
    • Tableau 52 (SUITE)
    • PARTS DE MARCHÉ ESTIMÉS du tableau 53 des CONSTRUCTEURS OPTOÉLECTRONIQUES PRINCIPAUX de SOUS-ENSEMBLE (À L'EXCLUSION de l'ÉCLAIRAGE SEMI-CONDUCTEUR), 2003
          • Modules d'affichage à LED Et produits semi-conducteurs d'éclairage
            • Affichages à LED
            • Éclairage semi-conducteur
    • CONSTRUCTEURS du tableau 54 des PRODUITS SEMI-CONDUCTEURS d'ÉCLAIRAGE ET d'AFFICHAGE
    • Tableau 54 (SUITE)
        • MODULES SOLAIRES DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
          • Rendements de conversion
          • Matériaux à cellules solaires
            • Silicium
            • Composés d'III-V
            • Les couches minces polycristallines de CdS/CdTe
    • CONSTRUCTEURS du tableau 55 des MODULES SOLAIRES de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
  • ANALYSE DE TECHNOLOGIE DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
      • APERÇU DES BREVETS ET DES DEMANDES DE BREVET, USPTO, 1996-2003
    • BREVETS ASSOCIÉS de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ du tableau 56 USPTO ET APPLICATIONS PUBLIÉES PAR YEAR, 1996-2003
    • BREVETS ASSOCIÉS de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ du Schéma 4 USPTO ET APPLICATIONS PUBLIÉES PAR YEAR, 1996-2003
          • Brevets
    • Le SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ du tableau 57 A ASSOCIÉ des BREVETS ÉMIS PAR MATERIAL, THROUGH 2003
    • Le SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ du Schéma 5 A ASSOCIÉ des BREVETS ÉMIS PAR MATERIAL, 1996-2003
          • Demandes de brevet publiées
    • DEMANDES de BREVET PUBLIÉES ASSOCIÉES de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ du tableau 58 PAR MATERIAL, 1996-2003
    • DEMANDES de BREVET PUBLIÉES ASSOCIÉES de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ du Schéma 6 PAR MATERIAL, 1996-2003
    • ACTION de POURCENTAGE du tableau 59 des MATÉRIAUX PAR TYPE DANS les BREVETS ET EN ATTENDANT des APPLICATIONS PUBLIÉES, ET DIFFÉRENCE DANS les POURCENTAGES, 1996-2003
    • POURCENTAGES du Schéma 7 des BREVETS ET PUBLIÉS EN ATTENDANT des APPLICATIONS PAR MATERIAL, 1996-2003
          • Catégorie de brevet
        • ANALYSE DE BREVET PAR MATERIAL
          • Arséniure de gallium
    • BREVETS du GALLIUM ARSENIDE-RELATED du tableau 60 PAR CLASSIFICATIONS, 1996-2003
    • Les ENTREPRISES du tableau 61 AVEC la QUANTITÉ SIGNIFICATIVE d'ARSÉNIURE de GALLIUM ONT RAPPORTÉ des BREVETS, ATTRIBUÉS 1996-2003
          • Phosphure d'indium
    • BREVETS RELATIFS de PHOSPHURE d'INDIUM du tableau 62 PAR CLASSIFICATIONS, 1996-2003
    • Les ENTREPRISES du tableau 63 AVEC la QUANTITÉ SIGNIFICATIVE de PHOSPHURE d'INDIUM ONT RAPPORTÉ des BREVETS, ATTRIBUÉS 1996-2003
    • Tableau 63 (SUITE)
          • Nitrures de nitrure et de groupe III de gallium
    • BREVETS RELATIFS de NITRURES de NITRURE ET de GROUPE III de GALLIUM du tableau 64 PAR CLASSIFICATIONS, 1996-2003
    • Les ENTREPRISES du tableau 65 AVEC la QUANTITÉ SIGNIFICATIVE de NITRURES de NITRURE ET de GROUPE III de GALLUIM ONT RAPPORTÉ des BREVETS, ATTRIBUÉS 1996-2003
          • Carbure de silicium
    • BREVETS RELATIFS de CARBURE de SILICIUM du tableau 66 PAR CLASSIFICATIONS, 1996-2003
    • Les ENTREPRISES du tableau 67 AVEC la QUANTITÉ SIGNIFICATIVE de CARBURE de SILICIUM ONT RAPPORTÉ des BREVETS, ATTRIBUÉS 1996-2003
          • Germanium de silicium
    • BREVETS du SILICIUM GERMANIUM-RELATED du tableau 68 PAR CLASSIFICATIONS, 1996-2003
    • Les ENTREPRISES du tableau 69 AVEC la QUANTITÉ SIGNIFICATIVE de GERMANIUM de SILICIUM ONT RAPPORTÉ des BREVETS, ATTRIBUÉS 1996-2003
    • ENTREPRISES PRINCIPALES du tableau 70 AVEC le PLUS GRAND NUMÉRO des BREVETS RELATIFS de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ PAR MATERIAL
  • PROFILS D'ENTREPRISE
      • RECHERCHE COMPOSÉE DE SEMICONDUCTOR-RELATED À DE PRINCIPAUX LABORATOIRES DE R&D D'INDUSTRIE
        • RECHERCHE GLOBALE DE GE
        • LABORATOIRES DE HRL
        • RECHERCHE D'IBM
        • SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES DE GRUMMAN DE NORTHROP
        • LABORATOIRE ÉLECTRONIQUE DE MATÉRIAUX, CENTRE DE RECHERCHES DE XEROX PALO ALTO
        • LABORATOIRE DE RECHERCHES DE SEMI-CONDUCTEUR, LABORATOIRES DE LUCENT BELL
        • LABORATOIRES DE R&D DE SEMI-CONDUCTEUR DE FREESCALE (AUTREFOIS MOTOROLA)
        • CIE. LTD DE LABORATOIRE D'ÉNERGIE DE SEMI-CONDUCTEUR.
        • R&D DE DISPOSITIFS DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ DE NEC
        • RECHERCHE ET DÉVELOPPEMENT DE SIEMENS AG
        • SOLUTIONS DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ DOW CORNING
      • PROFILS DES LABORATOIRES COMMANDITÉS PAR LE GOUVERNEMENT DE RECHERCHES ET DES ÉTATS DE PROGRAMS-UNITED
        • MATÉRIAUX ET DIRECTION DE FABRICATION (ML), LABORATOIRE DE RECHERCHES DE L'ARMÉE DE L'AIR
        • DEFENSE ADVANCED RESEARCH PROJECTS AGENCY (DARPA)
        • NATIONAL INSTITUTE OF STANDARDS AND TECHNOLOGY
          • Division de l'électronique de semi-conducteur, Gaithersburg, MD
          • Division d'optoélectronique (Boulder, Co)
        • OFFICE DE RECHERCHE NAVALE
          • Division de l'électronique
          • Programmes de placement Pour ce qui concerne les semi-conducteurs composés :
        • LABORATOIRE DE RECHERCHES DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ (CSRL), LABORATOIRES DE NATIONAL DE SANDIA
        • LA DIRECTION DE CAPTEURS ET DE DISPOSITIFS D'ÉLECTRON, LABORATOIRE E.U. DE RECHERCHES D'ARMÉE
        • BUREAU E.U. DE RECHERCHES D'ARMÉE
        • DIVISION DE RECHERCHE DE MATÉRIAUX, NATIONAL SCIENCE FOUNDATION
      • PROFILS DES LABORATOIRES COMMANDITÉS PAR LE GOUVERNEMENT DE RECHERCHES ET DES PAYS DE PROGRAMS-OTHER
        • CONCEVOIR ET CONSEIL " RECHERCHE " PHYSIQUE DES SCIENCES, R-U
        • INSTITUT NATIONAL DE LA SCIENCE ET DE TECHNOLOGIE INDUSTRIELLES AVANÇÉES, JAPON
          • Centre de recherches de l'électronique de puissance
          • Centre de recherches pour Photovoltatics
        • INSTITUT NATIONAL D'INFORMATION ET DE TECHNOLOGIE DE COMMUNICATION, JAPON
        • INSTITUT PHYSICO-TECHNOLOGIQUE D'IOFFE, RUSSIE
          • Division de l'électronique semi-conductrice
          • Division de la physique du diélectrique et des semi-conducteurs
        • INSTITUT DES SEMI-CONDUCTEURS, ACADÉMIE CHINOISE DES SCIENCES, CHINE
        • FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH CENTRE JÜLICH), ALLEMAGNE (DE RECHERCHES
          • Institut des couches minces et des surfaces adjacentes
      • PROFILS DES ÉTATS CHOISIS DES RECHERCHES LABS-UNITED D'UNIVERSITÉ
        • CENTRE POUR LA RECHERCHE SEMI-CONDUCTRICE DE L'ÉLECTRONIQUE (CSSER), UNIVERSITÉ DE L'ETAT DE L'ARIZONA
        • SERVICE DU GÉNIE INFORMATIQUE ÉLECTRIQUE ET, UNIVERSITÉ DE BOSTON
          • Laboratoire large de semi-conducteurs d'intervalle de bande (www.bu.edu/nitrides/)
      • GROUPE DE STM/MBE, UNIVERSITÉ DE CARNEGIE-MELLON
        • GÉNIE INFORMATIQUE ÉLECTRIQUE ET, UNIVERSITÉ DE CORNELL
          • Recherche électronique et optoélectronique de matériaux
          • Recherche optoélectronique, optique et de laser de dispositifs
        • CENTRE DE RECHERCHES DE LA MICROÉLECTRONIQUE, INSTITUT DE LA GÉORGIE DE LA TECHNOLOGIE
        • CENTRE POUR LA SCIENCE DES MATÉRIAUX ET L'INGÉNIERIE, MASSACHUSETTS.INSTITUTE.OF.TECHNOLOGY
          • Matériaux de semi-conducteur composé et groupe de recherche de dispositif
        • GÉNIE INFORMATIQUE ÉLECTRIQUE ET, UNIVERSITÉ DE L'ETAT DE L'OHIO
          • L'électronique semi-conductrice et Photonics
        • SERVICE DE SCIENCE DES MATÉRIAUX ET D'INGÉNIERIE, UNIVERSITÉ DE L'ETAT DE LA PENNSYLVANIE
        • PROGRAMME DE RECHERCHE LARGE DE DISPOSITIF DE SEMI-CONDUCTEUR D'INTERVALLE DE BANDE, UNIVERSITÉ DE PURDUE
        • SERVICE DE L'ÉLECTROTECHNIQUE, UNIVERSITÉ DE STANFORD
        • SCIENCE DES MATÉRIAUX ET INGÉNIERIE, UNIVERSITÉ DE CALIFORNIA-BERKELEY
        • FIBRES OPTIQUES ET LABORATOIRE DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, UNIVERSITÉ DE CALIFORNIA-IRVINE
        • UNIVERSITÉ DE CALIFORNIA-SANTA BARBARA
          • Centre de technologie d'optoélectronique (OTC)
          • Centre interdisciplinaire pour les semi-conducteurs larges de Bandgap et le centre semi-conducteur d'éclairage et d'affichage
        • GROUPE D'OPTOÉLECTRONIQUE, UNIVERSITÉ DES CORNIÈRES DE CALIFORNIA-LOS
        • LABORATOIRE MICRO ET DE NANOTECHNOLOGY, UNIVERSITÉ DE L'ILLINOIS À URBANA-CHAMPAIGN
        • LE CENTRE POUR LES DISPOSITIFS OPTOÉLECTRONIQUES, INTERCONNECTE, ET EMPAQUETANT - UNIVERSITÉ DU MARYLAND
        • SERVICE ÉLECTRIQUE ET DE SPECTROSCOPIE DE SEMI-CONDUCTEUR DE GÉNIE INFORMATIQUE DE LABORATOIRE, UNIVERSITÉ DU MASSACHUSETTS À AMHERST
        • LABORATOIRE SEMI-CONDUCTEUR DE L'ÉLECTRONIQUE, UNIVERSITÉ DU MICHIGAN
          • Groupe de dispositifs intégré par III-V et de circuits
        • PHOTONICS ET LABORATOIRE DE LA MICROÉLECTRONIQUE, UNIVERSITÉ DE LA CAROLINE DU SUD
        • UNIVERSITÉ DE LA CALIFORNIE MÉRIDIONALE
          • Laboratoire de semi-conducteur composé
        • LE CENTRE POUR LES MATÉRIAUX ET LES STRUCTURES MICROÉLECTRONIQUES, UNIVERSITÉ DE YALE
      • PROFILS DES PAYS CHOISIS DES RECHERCHES LABS-OTHER D'UNIVERSITÉ
        • ÉCOLE DU GÉNIE INFORMATIQUE ÉLECTRIQUE, ÉLECTRONIQUE ET, UNIVERSITÉ DE L'AUSTRALIE OCCIDENTALE, AUSTRALIE
          • Groupe de recherche de la microélectronique
        • LABORATOIRE DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, UNIVERSITÉ DE FRASER DE SIMON, CANADA
        • INGÉNIERIE ÉLECTRIQUE ET ÉLECTRONIQUE, UNIVERSITÉ DE HONG KONG DE LA SCIENCE ET TECHNOLOGIE, CHINE
        • GROUPE DE RECHERCHE SUR DES MATÉRIAUX DE GAN-RELATED ET DES DISPOSITIFS, UNIVERSITÉ DE PÉKIN, CHINE
        • INSTITUT DE LA PHYSIQUE SOLIDE, UNIVERSITÉ TECHNIQUE DE BERLIN, ALLEMAGNE
        • INSTITUT DE WALTER SCHOTTKY, UNIVERSITÉ TECHNIQUE DE MUNICH, ALLEMAGNE
        • INSTITUT DE NAGOYA DE TECHNOLOGIE, CENTRE DE RECHERCHES POUR NANO-DEVICE ET SYSTÈME, UNIVERSITÉ DE NAGOYA, JAPON
        • L'INSTITUT DE LA RECHERCHE INDUSTRIELLE SCIENTIFIQUE ET, UNIVERSITÉ D'OSAKA, JAPON
        • LABORATOIRE POUR NANOELECTRONICS ET SPINTRONICS, INSTITUT DE RECHERCHE DE COMMUNICATION ÉLECTRIQUE, UNIVERSITÉ DE TOHOKO, JAPON
        • LABORATOIRE DE PROCÉDÉ DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, UNIVERSITÉ DE POHANG DE LA SCIENCE ET TECHNOLOGIE, CORÉE
        • ÉCOLE DE L'INGÉNIERIE ÉLECTRIQUE ET ÉLECTRONIQUE, UNIVERSITÉ TECHNIQUE DE NANYANG, SINGAPOUR
        • INSTITUT DE QUANTUM ÉLECTRONIQUE ET DE PHOTONICS (INSTITUT DE PHOTONIQUE ET D'ÉLECTRONIQUE QUANTIQUES), INSTITUT DE TECHNOLOGIE FÉDÉRAL SUISSE LAUSANNE (EPFL), SUISSE
        • INITIATIVE DE TECHNOLOGIES DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, GLASGOW ET UNIVERSITÉS DE STRATHCLYDE, R-U
        • UNIVERSITÉ DE CAMBRIDGE, R-U
          • Recherche de Sige, laboratoire de Cavendish
        • MATÉRIAUX ET DISPOSITIFS OPTOÉLECTRONIQUES LABORATOIRE, UNIVERSITÉ D'ESSEX, R-U
        • CENTRE DE RECHERCHES DE L'ESPACE, UNIVERSITÉ DE LEICESTER, R-U
        • GROUPE DE PHYSIQUE DE SEMI-CONDUCTEUR, UNIVERSITÉ DE SHEFFIELD, R-U
        • LA MICROÉLECTRONIQUE GROUPE, UNIVERSITÉ DE SOUTHAMPTON, R-U
        • GROUPE DE DISPOSITIFS ET DE MATÉRIAUX D'OPTOÉLECTRONIQUE, SERVICE DE LA SCIENCE PHYSIQUE, UNIVERSITÉ DE SURREY, R-U
  • LISTE DE TABLEAUX
  • Tableau synoptique :
  • Table 1 les PROPRIÉTÉS PHYSIQUES des MATÉRIAUX PRINCIPAUX de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ (COMPARÉS au SILICIUM)
  • Table 2 des RÉSUMÉS des SEMI-CONDUCTEURS COMPOSÉS
  • Table 3 le RÉSUMÉ des SUBSTRATS PROCURABLES POUR la FABRICATION de DISPOSITIF de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, 2003
  • Table 4 des GRILLES d'APPLICATION des SEMI-CONDUCTEURS COMPOSÉS
  • Table 5 le MARCHÉ GLOBAL POUR des MATÉRIAUX de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ PAR des SERVICES de FONDERIE de CATEGORY INCLUDING, PAR 2009 (MILLIONS de $)
  • Table 6 des POURCENTAGES des PRODUITS de CRISTAL ET de DISQUE de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ CONTRE EFIWAFER ET SERVICES de FONDERIE, 2001-2009
  • Table 7 les PARTS DE MARCHÉ ESTIMÉS des CONSTRUCTEURS de DISQUE de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, 2003 (%)
  • Table 8 les PARTS DE MARCHÉ ESTIMÉS des FONDERIES de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, 2003 (%)
  • Table 9 le MARCHÉ GLOBAL POUR les PRODUITS MATÉRIELS de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET les SERVICES PAR MATERIAL TYPE, THROUGH 2009 (MILLIONS de $)
  • Table 10 le PART DE MARCHÉ des PRODUITS de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET de SEVICES PAR MATERIAL, 2001-2009 (%)
  • Table 11 des PARAMÈTRES PHYSIQUES de BASIC D'ARSÉNIURE de GALLIUM (à 300K)
  • Table 12 des PRODUCTEURS de CRISTAL ET de DISQUE d'ARSÉNIURE de GALLIUM
  • Table 13 les PRODUCTEURS PRINCIPAUX de l'ARSÉNIURE de GALLIUM EPIWAFER (FONDERIES)
  • Table 14 le MARCHÉ GLOBAL POUR l'ARSÉNIURE de GALLIUM PAR CATEORY, PAR 2009 (MILLIONS de $)
  • Table 15 des PARAMÈTRES PHYSIQUES de BASIC DE PHOSPHURE d'INDIUM (à 300K)
  • Table 16 des PRODUCTEURS de CRISTAL ET de DISQUE de PHOSPHURE d'INDIUM
  • Table 17 les PRODUCTEURS PRINCIPAUX du PHOSPHURE d'INDIUM EPIWAFER (FONDERIES)
  • Table 18 le MARCHÉ GLOBAL POUR le PHOSPHURE d'INDIUM, PAR 2009 (MILLIONS de $)
  • Table 19 des PARAMÈTRES PHYSIQUES de BASIC DE NITRURE de GALLIUM (à 300K)
  • Table 20 le GALLIUM la NITRURE A BASÉ des DISPOSITIFS
  • Table 21 la LISTE PARTIELLE d'ENTREPRISES AVEC des PRODUITS de NITRURE de GALLIUM
  • Table 22 le MARCHÉ GLOBAL POUR le MARCHÉ de BIENS MATÉRIEL de NITRURE de GALLIUM, PAR 2009 (MILLIONS de $)
  • Table 23 des PARAMÈTRES PHYSIQUES de BASIC DES ALLIAGES de SILICIUM, de GERMANIUM ET de GERMANIUM de SILICIUM (à 300K)
  • Table 24 les FONDERIES PRINCIPALES du GERMANIUM BICMOS de SILICIUM
  • Table 25 le MARCHÉ GLOBAL POUR le GERMANIUM de SILICIUM la FONDERIE A ASSOCIÉ des SERVICES, PAR 2009 (les MILLIONS de $)
  • Table 26 des PARAMÈTRES PHYSIQUES de BASIC DE CARBURE de SILICIUM (à 300K)
  • Le CARBURE de SILICIUM du tableau 27 A BASÉ des DISPOSITIFS (POTENTIEL OU EXISTER)
  • CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX du tableau 28 des SUBSTRATS de CARBURE de SILICIUM
  • MARCHÉ GLOBAL du tableau 29 POUR le CARBURE de SILICIUM REVENU MATÉRIEL, PAR 2009 (MILLIONS de $)
  • MARCHÉ GLOBAL du tableau 30 POUR d'AUTRES SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET MATÉRIAUX RELATIFS, PAR 2009 (MILLIONS de $)
  • Le MARCHÉ GLOBAL du tableau 31 POUR le SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ A BASÉ des COMPOSANTS ET des DISPOSITIFS, PAR 2009 (les MILLIONS de $)
  • Les POURCENTAGES du tableau 32 du SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ONT BASÉ des COMPOSANTS PAR SUBCATEGORY, 2001-2009 (%)
  • LONGUEUR D'ONDE de BANDE ET de CORRESPONDANT de RADIOFRÉQUENCE du tableau 33
  • PROTOCOLES NUMÉRIQUES de RÉSEAU TÉLÉPHONIQUE de GSM du tableau 34
  • NORMES SANS FIL de GESTION DE RÉSEAU du tableau 35
  • CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX du tableau 36 des COMPOSANTS du SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ rf
  • PARTS DE MARCHÉ du tableau 37 des CONSTRUCTEURS CONSTITUTIFS COMPOSÉS PRINCIPAUX du SEMI-CONDUCTEUR rf, 2003
  • NIVEAUX OPTIQUES d'EXPLOITANT DE RÉSEAU du tableau 38
  • COMPARAISONS du tableau 39 de DISQUE de CD-ROM, de DVD ET de BLU-RAY
  • CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX du tableau 40 des COMPOSANTS OPTOÉLECTRONIQUES
  • La LONGUEUR D'ONDE du tableau 41 ET la COULEUR de l'intervalle ONT BASÉ des DEL
  • MATÉRIAUX, LONGUEURS D'ONDE ET COULEURS TYPES du tableau 42 des DEL
  • DIODES ÉMETTEUSES D'INFRAROUGE PROCHES du tableau 43
  • CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX du tableau 44 des COMPOSANTS de DEL POUR l'ÉCLAIRAGE ET l'ILLUMINATION (EN PLUS de CEUX COMPRIS DANS le TABLEAU 39)
  • PARTS DE MARCHÉ ESTIMÉS du tableau 45 des CONSTRUCTEURS CONSTITUTIFS OPTOÉLECTRONIQUES PRINCIPAUX de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, 2003
  • CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX du tableau 46 des COMPOSANTS COMPOSÉ de DÉTECTEUR SEMICONDUCTEUR ET de DÉTECTEUR
  • PARTS DE MARCHÉ ESTIMÉS du tableau 47 des CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX des DÉTECTEURS SEMICONDUCTEURS COMPOSÉS, 2003
  • Le MARCHÉ GLOBAL du tableau 48 POUR le SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ A INTÉGRÉ des SOUS-ENSEMBLES PAR SUBCATEGORIES, THROUGH 2009 (les MILLIONS de $)
  • Les POURCENTAGES de REVENU du tableau 49 du SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ONT INTÉGRÉ des SOUS-ENSEMBLES PAR SUBCATEGORIES, 2001-2009
  • CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX du tableau 50 du SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ rf ET des SOUS-ENSEMBLES de MICRO-ONDE
  • PARTS DE MARCHÉ ESTIMÉS du tableau 51 des CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX de SOUS-ENSEMBLE de rf, 2003
  • CONSTRUCTEURS PRINCIPAUX du tableau 52 des SOUS-ENSEMBLES OPTOÉLECTRONIQUES de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
  • PARTS DE MARCHÉ ESTIMÉS du tableau 53 des CONSTRUCTEURS OPTOÉLECTRONIQUES PRINCIPAUX de SOUS-ENSEMBLE (À L'EXCLUSION de l'ÉCLAIRAGE SEMI-CONDUCTEUR), 2003
  • CONSTRUCTEURS du tableau 54 des PRODUITS SEMI-CONDUCTEURS d'ÉCLAIRAGE ET d'AFFICHAGE
  • CONSTRUCTEURS du tableau 55 des MODULES SOLAIRES de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
  • BREVETS ASSOCIÉS de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ du tableau 56 USPTO ET APPLICATIONS PUBLIÉES PAR YEAR, 1996-2003
  • Le SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ du tableau 57 A ASSOCIÉ des BREVETS ÉMIS PAR MATERIAL, THROUGH 2003
  • Le SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ du tableau 58 ASSOCIÉ A PUBLIÉ des DEMANDES de BREVET PAR MATERIAL, 1996-2003
  • ACTION de POURCENTAGE du tableau 59 des MATÉRIAUX PAR TYPE DANS les BREVETS ET EN ATTENDANT des APPLICATIONS PUBLIÉES, ET DIFFÉRENCE DANS les POURCENTAGES, 1996-2003
  • BREVETS du GALLIUM ARSENIDE-RELATED du tableau 60 PAR CLASSIFICATIONS, 1996-2003
  • Les ENTREPRISES du tableau 61 AVEC la QUANTITÉ SIGNIFICATIVE d'ARSÉNIURE de GALLIUM ONT RAPPORTÉ des BREVETS, ATTRIBUÉS 1996-2003
  • BREVETS RELATIFS de PHOSPHURE d'INDIUM du tableau 62 PAR CLASSIFICATIONS, 1996-2003
  • Les ENTREPRISES du tableau 63 AVEC la QUANTITÉ SIGNIFICATIVE de PHOSPHURE d'INDIUM ONT RAPPORTÉ des BREVETS, ATTRIBUÉS 1996-2003
  • BREVETS RELATIFS de NITRURES de NITRURE ET de GROUPE III de GALLIUM du tableau 64 PAR CLASSIFICATIONS, 1996-2003
  • Les ENTREPRISES du tableau 65 AVEC la QUANTITÉ SIGNIFICATIVE de NITRURES de NITRURE ET de GROUPE III de GALLUIM ONT RAPPORTÉ des BREVETS, ATTRIBUÉS 1996-2003
  • BREVETS RELATIFS de CARBURE de SILICIUM du tableau 66 PAR CLASSIFICATIONS, 1996-2003
  • Les ENTREPRISES du tableau 67 AVEC la QUANTITÉ SIGNIFICATIVE de CARBURE de SILICIUM ONT RAPPORTÉ des BREVETS, ATTRIBUÉS 1996-2003
  • BREVETS du SILICIUM GERMANIUM-RELATED du tableau 68 PAR CLASSIFICATIONS, 1996-2003
  • Les ENTREPRISES du tableau 69 AVEC la QUANTITÉ SIGNIFICATIVE de GERMANIUM de SILICIUM ONT RAPPORTÉ des BREVETS, ATTRIBUÉS 1996-2003
  • ENTREPRISES PRINCIPALES du tableau 70 AVEC le PLUS GRAND NUMÉRO des BREVETS RELATIFS de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ PAR MATERIAL
  • LISTE DE SCHÉMAS
  • Schéma sommaire :
  • MARCHÉ GLOBAL du Schéma 1 POUR des MATÉRIAUX de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ PAR des SERVICES de FONDERIE de CATEGORY INCLUDING, PAR 2009 (MILLIONS de $)
  • MARCHÉ GLOBAL du Schéma 2 POUR les PRODUITS MATÉRIELS de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET SERVICES PAR MATERIAL TYPE, 2001-2009 (MILLIONS de $)
  • MARCHÉ GLOBAL du Schéma 3 POUR des SOUS-ENSEMBLES INTÉGRÉS de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ PAR SUBCATEGORIES, 2001-2009 (MILLIONS de $)
  • BREVETS ASSOCIÉS de SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ du Schéma 4 USPTO ET APPLICATIONS PUBLIÉES PAR YEAR, 1996-2003
  • Le SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ du Schéma 5 A ASSOCIÉ des BREVETS ÉMIS PAR MATERIAL, 1996-2003
  • Le SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ du Schéma 6 ASSOCIÉ A PUBLIÉ des DEMANDES de BREVET PAR MATERIAL, 1996-2003
  • POURCENTAGES du Schéma 7 des BREVETS ET PUBLIÉS EN ATTENDANT des APPLICATIONS PAR MATERIAL, 1996-2003

des matériaux de semi-conducteur composé : Tendances

Éditeur: Business Communications Co., Inc.

Format Prix Commandez
Hard Copy US $3950.00
PDF by E-mail (Single User License) US $4543.00
Commandes sont executé par «www.the-infoshop.com», une autre site de Global Information. Cette transaction est entièrement securisée.
© 2008 GII