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des avances globales en technologie tendue

Type De Produit: Étude de Marché Date de Publication: Dec 31, 2007
 
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Table des matières

1 DOCUMENT DE SYNTHÈSE

  • Portée et méthodologie de recherches
    • Portée de recherches
    • Méthodologie de recherches
  • Aperçu et constations clé
    • Aperçu
    • Résultats principaux de recherches

SILICIUM TENDU PAR 2--ÉVALUATION DE TECHNOLOGIES/APPLICATIONS

  • Évaluation de technologie
    • Évolution de technologie tendue de silicium
    • Silicium tendu--Élans
  • Scénario de développement de technologie
    • SOI et SOI tendu
    • Scénario d'application

ANALYSE FACTORIELLE D'ADOPTION DE 3 TECHNOLOGIES

  • Facteurs influençant l'adoption de technologie--Moteurs et enjeux
    • Moteurs d'évolution
    • Enjeux d'industrie
  • Indemnités et limitations ; Analyse du besoin de technologie
    • Indemnités et limitations
    • Analyse du besoin de technologie

4 SCÉNARIO ET ANALYSE DE CHOC

  • Analyse du scénario
    • Tendances d'industrie--Scénarios et initiatives changeants de développement
    • Analyse d'IP/Patent
  • Analyse de choc
    • Facteurs et lacunes de gain de technologie
    • Perspicacités d'analyste--Avances en technologie tendue de silicium

5 SCÉNARIOS CHANGEANTS--DÉVELOPPEMENTS PRINCIPAUX DANS CE SECTEUR

  • Silicium tendu--Développements de conception et de fabrication--Monde
    • Système à régulation de processus tendu de silicium--LE R-U
    • Technologies innovatrices de transfert de couche pour SOI--LES Etats-Unis
    • Outils d'EDA pour la conception des dispositifs tendus de silicium--LE R-U
  • Silicium tendu--Avances de Dispositif-Niveau--Monde
    • Technique de diffraction d'électron de Nanobeam pour la caractérisation de contrainte de SOI--Le Japon
    • La contrainte Silicium-A basé les modulateurs électrooptiques--Le Danemark
    • Membranes tendues de semi-conducteur--LES Etats-Unis
    • Topographie de rayon X pour la détection en couche mince de défectuosité--LES Etats-Unis
    • Technologie de semi-conducteur composé tendue pour le transistor MOSFET de la deuxième génération--LES Etats-Unis

6 BREVETS PRINCIPAUX ET PARTICIPANTS D'INDUSTRIE PRINCIPALE

  • Brevets principaux dans ce secteur
    • Brevets d'Amérique du Nord
    • Brevets d'autres régions
  • Participants d'industrie principale
    • Secteur de corporation
    • Secteur d'universitaire

BASE DE DONNÉES 7 D'AIDE À LA DÉCISION

  • Tableaux d'aide à la décision de base de données
    • Marché global de semi-conducteur et de matériel de semi-conducteur (2002 2012)
    • Cotisation de composants électroniques à l'industrie d'électronique--Monde (2002 2012)
    • Cotisation d'électronique grand public à l'industrie d'électronique--Monde (2002 2012)
    • Ventes de tremplin de circuit imprimé--Monde (2002 2012)
    • Cotisation d'industrie au PIB--Monde (2002 2012)
    • Base installée par PC portative--Monde (2002 2012)
    • Cotisation médicale et industrielle à l'industrie d'électronique--Monde (2002 2012)

des avances globales en technologie tendue

Éditeur: Technical Insights, Inc.

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